Ar/CO气氛下无催化剂热蒸发法制备SiC/SiO_2纳米链及其生长机理（英文）

作者：谢翔旻; 苏哲安^*; 黄东; 杨程; 王亚峰; 姜定宇; 黄启忠

来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2020, 30(11): 3058-3066.

• 合成
• 生长机理
• SiC/SiO_2纳米链
• 热蒸发法
• 一氧化碳
• 光致发光性能

在Ar/CO气氛中采用无催化剂热蒸发法在炭纤维基体表面制备SiC/SiO_2纳米链。XRD、FT-IR、SEM和TEM结果表明:所制备的SiC/SiO_2纳米链由单晶结构SiC纳米线和无定形结构SiO_2球组成。CO的引入能促进形成SiO_2,从而在冷却过程中形成SiC/SiO_2纳米链。此外,光致发光光谱分析结果表明,SiC/SiO_2纳米链在约350 nm处显示出一个较宽的发射峰,主要是由于SiO_2球中的氧偏差以及SiC/SiO_2的界面效应。本研究能为一维碳化硅基材料气相生长的研究提供指导。

• 单位
  湖南东映碳材料科技有限公司; 中南大学