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摘要
本发明涉及一种基于二氧化钛/氧化锡/二维易氧化薄层的忆阻器及其制备方法,其包括,选用机械剥离法将二维易氧化薄层转移至基底上；在二维易氧化薄层的两端沉积第一电极和第二电极；在空气中加热基底,二维易氧化薄层的表面形成具有稳定的阻变行为的氧化物薄层；在氧化物薄层上沉积金属Ti薄层；在空气中加热基底,金属Ti薄层氧化形成TiO-2薄层；在TiO-2薄层上沉积第三电极。该忆阻器结合了氧化物薄层表现出的稳定的阻变行为特点,结合利用二氧化钛与氧化物薄层中氧空位浓度的不同的特点,忆阻行为表现出具有空间电场方向依赖性,呈现出了低功耗、高电阻比、高稳定性和易制备的优点。
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