Si掺杂立方HfO_2的电子结构和光学性质的第一性原理计算

作者：刘其军; 刘正堂; 冯丽萍; 许冰

来源：青岛科技大学学报(自然科学版), 2010, (01): 1-5.

• 立方HfO2
• Si掺杂
• 电子结构
• 光学性质
• 第一性原理 cubic HfO2
• Si-doped
• electronic structure
• optical properties
• first-principles

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Si掺杂立方HfO2的电子结构及光学性质。计算结果表明,掺杂后立方HfO2的电子结构发生了变化,费米面进入了杂质带,同时由态密度图可知掺杂能级的形成主要是Si的3p轨道的贡献。经带隙校正后,计算了Si掺杂立方HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括吸收光谱、复介电函数、复折射率、反射光谱、损失函数及复光电导谱。结果表明,由于掺杂能级的出现,导致了立方HfO2吸收带边的红移。

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室; 材料学院