C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制

作者：刘娅; 孙科; 马晋毅; 谢征珍; 蒋平英; 杜雪松

来源：压电与声光, 2022, 44(02): 260-263.

• 薄膜体声波谐振器(FBAR)
• Mason模型
• 晶圆极封装(WLP)
• 覆膜
• 插入损耗

该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计，并使用HFSS对电磁封装模型进行优化，再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计，得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片，同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺，得到WLP的FBAR器件。测试结果表明，滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十六研究所; 电子科技大学