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摘要
本发明涉及一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底层,位于所述衬底层上的缓冲层,位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上的复合势垒层,其中,所述复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层和位于第一势垒层和第二势垒层之间的第三势垒层；位于所述第二势垒层上的阴极；位于所述第一势垒层上的复合阳极；位于所述第一势垒层上的本征GaN帽层。本发明实施例具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压,缓解了器件击穿电压与开启电压之间的矛盾,改善了器件的击穿特性和可靠性。
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