铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究

作者：王冰心; 徐家跃; 金敏; 何庆波; 房永征

来源：人工晶体学报, 2015, 44(05): 1156-1170.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.05.002

• 坩埚下降法
• 晶体生长
• 砷化镓晶体
• Bi掺杂

使用<511>取向Ga As籽晶,在直径2英寸的p BN坩埚中生长了2.5%Bi掺杂的Ga As晶体。能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到Ga As晶体中。X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42″。与未掺杂Ga As晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 e V移至近1.39 e V。扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进。

• 单位
  上海应用技术大学