高温垂直Bridgman法生长Zn1-xMgxTe晶体

作者：刘国和; 李焕勇; 张海洋; 王小军; 靳英坤

来源：人工晶体学报, 2014, 43(04): 727-732.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2014.04.012

• 高温垂直Bridgman法
• Zn1-xMgxTe晶体
• 透过率
• 腐蚀坑密度

采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体。分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀的方法分析了晶体的结晶质量。结果表明:所生长的晶体具有立方相结构,晶格常数为0.61585 nm,略大于ZnTe晶格常数,晶锭中质量最好部分的晶片红外和紫外透过率接近60%,室温下其禁带宽度约为2.37 eV。77 K温度下,PL谱中存在A和B两个主要的发光带,位错腐蚀坑密度在105cm-2数量级。

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室; 材料学院