化学机械抛光中抛光垫作用分析

作者：张朝辉; 杜永平; 常秋英; 雒建斌

来源：北京交通大学学报, 2007, (01): 18-21.

• 化学机械抛光
• 抛光垫
• 抛光液
• 流动模型
• 粗糙度
• 压力波动 chemical mechanical polishing(CMP)
• pad
• slurry
• flow model
• roughness
• pressure fluctuation

化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路(integrated circuit,IC)中起重要作用的一门技术.抛光垫是CMP性能的主要影响因素.这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响,并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用.结果表明:由于抛光垫的变形和多孔性,承载能力将有所下降,膜厚增大,从而有利于抛光液中粒子和磨屑的带出.晶片表面曲率的变化对压力和膜厚的作用也很明显,全膜条件粗糙度的存在将引起...

• 单位
  摩擦学国家重点实验室