低温非晶硅/金圆片键合技术(英文)

作者：刘米丰; 徐德辉; 熊斌; 王跃林

来源：纳米技术与精密工程, 2013, (04): 375-378.

DOI：10.13494/j.npe.2013.062

• 圆片键合
• 非晶硅/金
• 微结构分析
• 键合质量 wafer bonding
• amorphous Si /Au
• microstructure analysis
• bonding quality

本文研究了低温非晶硅/金圆片键合技术.具有不同金硅比的键合片在400℃键合温度和1 MPa键合压力下维持30 min,其键合成功区域均高于94%,平均剪切强度均大于10.1 MPa.键合强度测试结果表明键合成品率与金硅比大小无关,平均剪切强度在10～20 MPa范围内.微观结构分析表明键合后单晶硅颗粒随机分布在键合层内,而金则充满其他区域,形成了一个无空洞的键合层.无空洞键合层确保不同金硅比非晶硅/金键合片均具有较高的键合强度,可实现非晶硅/金键合技术在圆片键合领域的应用.

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 传感技术国家重点实验室