直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

作者：徐进; 李福龙; 杨德仁

来源：Acta Physica Sinica, 2007, (07): 4113-4116.

• 直拉硅
• 透射电镜
• 氧沉淀 silicon
• transmission electron microscopy
• oxygen precipitate

利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有观察到这种氧沉淀.初步认为,这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.

• 单位
  厦门大学; 浙江大学; 硅材料国家重点实验室; 化学化工学院