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摘要
由于寄生参数的影响，SiC MOSFET应用于双向Buck/Boost变换器时会出现串扰现象，在高速开关过程中会产生额外损耗甚至发生误导通，影响变换器的安全可靠运行。针对双向Buck/Boost变换器在Buck模式及Boost模式运行时出现的串扰电压，首先提取相关寄生电容和寄生电感参数，建立了含寄生参数的LTspice仿真模型，并搭建实验测试装置验证了模型的正确性。然后利用所建LTspice模型分析寄生电感参数对串扰电压的影响规律，提出了在Buck模式和Boost模式中分别采用不同的串扰抑制方法，并验证了所提方法的有效性。
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单位太原市优特奥科电子科技有限公司; 太原理工大学
