Au/Si基片上沉积Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的研究

作者：齐增亮; 蒋书文; 李言荣

来源：微纳电子技术, 2008, (05): 268-270+297.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2008.05.009

• 铌酸锌铋(BZN)薄膜
• 射频磁控溅射
• 介电性能
• 可调率
• 损耗 BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7) films
• RF magnetron sputtering
• dielectric properties
• tunability
• dielectric loss

采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜。在基片温度200℃、本底真空1×10-3Pa条件下,BZN靶溅射0.5h,作为自缓冲层;然后在400℃下溅射1.5h,薄膜总厚度为200nm,650℃原位真空退火1h。XRD分析显示该薄膜为〈222〉单一取向,结晶良好;AFM扫描显示表面平整;测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。实验证明,选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高,实验得到介电常数可调率约20%、损耗为0.002~0.004。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室