摘要

用嵌入点电荷的簇为模型,采用B3LYP方法研究了NO在NiO(001)面上不同吸附位置和不同吸附方式的电子结构,并计算了振动频率。结果表明在完整表面上最稳定的吸附方式是N端歪斜吸附在Ni位,这与实验结果相符;而在缺陷表面上,NO以直线方式吸附在角位上最为稳定。振动频率计算表明,NO吸附后NO振动频率红移约50cm-1。我们根据价轨道电子密度图解释了NO吸附后振动频率红移的原因,这个解释完全不同于传统认为的3d对2π的反馈键理论。

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