基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关

作者：张艺; 张志浩; 章国豪^*

来源：南京信息工程大学学报(自然科学版), 2021, 13(04): 450-454.

DOI：10.13878/j.cnki.jnuist.2021.04.010

• 毫米波
• 单刀双掷开关
• GaAs pHEMT
• 低插入损耗

介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构,每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成,并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理,可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15μm GaAs pHEMT工艺实现了一款应用于毫米波通信频段的单刀双掷(SPDT)开关芯片,整体面积为2.1 mm×1.1 mm.测试结果表明,在23～30 GHz频率范围内,该开关芯片的整体插入损耗小于1.3 dB,隔离度大于23 dB,输入输出回波损耗均大于10 dB.

• 单位
  广东工业大学