一种新型的低功耗加固SRAM存储单元

作者：黄正峰; 李雪筠; 杨潇; 戚昊琛; 鲁迎春; 欧阳一鸣; 倪天明; 徐奇

来源：微电子学, 2020, 51(2): 1-7.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200196

• 抗辐射加固设计
• 存储单元
• 单粒子翻转
• 软错误
• 低功耗 radiation hardness by design
• memory cell
• single event effect
• soft error
• low power

随着CMOS特征尺寸的不断缩小，SRAM存储单元极易受到高能粒子轰击而诱发单粒子翻转。本文提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元。该存储单元利用NMOS管组成的堆栈结构来降低功耗，利用单粒子翻转特性来减少敏感节点，具有良好的鲁棒性和低功耗特性。HSPICE仿真结果表明，所提出的加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转，容忍双点翻转比例为33.33%。与其他10种存储单元相比，该存储单元的面积开销平均增加了3.90%，但功耗、读时间和写时间分别平均减小了34.54%，6.99%，26.32%，且静态噪声容限较大，稳定性好。

• 单位
  安徽工程大学; 合肥工业大学