基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术

作者：倪金玉; 孔岑^*; 周建军; 孔月婵

来源：电源学报, 2019, 17(03): 53-56.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.53

• 单片集成
• p-GaN帽层
• 增强型GaN功率电子器件
• 数字电路

基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V,击穿电压VBD达到700 V,输出电流ID达到8 A,导通电阻RON为300 mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V;所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz,级延时为85 ps。