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摘要
本发明属于微机电系统MEMS技术领域,具体设计了一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法。以硅片作为硅衬底层,在硅衬底层上沉积锗牺牲层、低频氮化硅层、高频氮化硅层、铜金属导线,通过刻蚀锗牺牲层,释放低频氮化硅层、高频氮化硅层的层间内在应力,触发氮化硅应变层裹挟非晶丝自卷曲,实现二维到三维的过渡,自卷曲形成含有非晶丝和螺旋线圈的微纳米管,即GMI磁传感器。GMI磁传感器的内径为百微米级；同时本发明的GMI磁传感器,利用薄膜的自卷曲技术,降低了工艺难度,且绕线线圈通过薄膜自卷曲技术形成,不会因绕线导致非晶丝弯曲；因此本发明所的GMI磁传感器具有优越的结构性能,同时具有体积小的优点。
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