CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究

作者：吕玉冰; 吴琼瑶; 刘昌举; 李明; 周亚军; 刘**

来源：半导体光电, 2020, 41(03): 331-335.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.03.007

• CMOS图像传感器
• 抗电离辐射加固
• 总剂量效应
• 单粒子

太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁。文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略,并进行了总剂量和单粒子试验。试验结果表明,采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力,当总剂量达到100krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1×107 p/cm2时,器件的关键指标变化符合预期要求。