用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)

作者：孙浩; 齐鸣; 艾立鹍; 徐安怀; 滕腾; 朱福英

来源：电子器件, 2011, (01): 12-16.

• 镓砷锑
• 湿法腐蚀
• 磷化铟
• 双异质结晶体管 GaAsSb
• wet etching
• InP
• DHBT

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率较慢但具有很好的表面粗糙度。作为验证,采用最优体积比5:1的柠檬酸/双氧水腐蚀溶液,工艺制备出InP/GaAsSbDHBT器件。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院研究生院