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摘要
本发明涉及一种多沟道鳍式结构的AlInN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法,所述制作方法包括步骤：在衬底上生长N层AlInN/GaN异质结,其中N≥2；在N层AlInN/GaN异质结上进行刻蚀和台面隔离,形成栅鳍；在最上层AlInN/GaN异质结上方制作源电极、漏电极；在源电极和漏电极之间制作钝化层；制作三维FinFET栅结构的栅电极；制作互连引线。该晶体管及制作方法采用多沟道异质结结构和FinFET的三维栅结构,提高器件跨导的栅压放大范围,降低器件的关态泄漏电流和亚阈值摆幅,使器件具有良好的开关特性和线性度；异质结晶格近乎完全匹配,减小了面电阻。
- 单位
