随着航空航天、核能开发利用以及高能物理研究的高速发展,越来越多的电子器件需要在辐射环境中工作。辐射粒子入射电子器件后,通过电离或非电离过程沉积能量,能够诱发包括单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应在内的多种辐射效应,对器件及电子系统的可靠运行构成严重威胁。因此,开展辐射效应机理和加固技术研究,对高可靠、抗辐射电子器件及系统的研发具有重要意义。