摘要

半导体辐射源在医学成像、放射治疗、安全扫描和材料表征等领域广泛应用,具有紧凑、低成本和易于使用等优点,其制造材料可根据所需的辐射能量、效率和其他参数进行选择。例如硅常用于低能X射线,而化合物半导体适合于高能伽马射线。最常见的辐射检测机制是光电效应,即入射光子被半导体材料吸收并产生电子空穴对,然后被偏压收集,并产生可以被处理和分析的电信号。半导体辐射源可使用二极管、探测器和闪烁体等器件结构制造,其中二极管用于低能X射线,探测器用于更高能量的伽马射线,闪烁体则可与半导体探测器耦合以提高灵敏度。