新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成

作者：吴海信; 王振友; 倪友保; 耿磊; 毛明生; 黄飞

来源：人工晶体学报, 2008, (06): 1370-1373.

• AgGaGeS4
• 多晶合成
• 二温区
• 气相输运

本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶。使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论。

• 单位
  中国科学院安徽光学精密机械研究所; 中国科学院，安徽光学精密机械研究所