金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶的制备及性能研究

作者：姚飞; 蒋洪川; 张万里; 刘兴钊; 唐磊; 于浩

来源：电子元件与材料, 2010, (09): 6-8.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2010.09.019

• NiCr-NiSi薄膜热电偶
• 静态标定
• 塞贝克系数 NiCr-NiSi thin film thermocouple
• static calibration
• Seebeck coefficient

采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、氧化铝绝缘层、NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成。对此薄膜热电偶样品的静态标定结果表明,所制备的金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶在25～600℃内具有良好的线性度,Seebeck(塞贝克)系数达到37.5μV/K,略低于K型标准热电偶的塞贝克系数40.0μV/K。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学; 中国燃气涡轮研究院