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摘要
随着芯片封装载板逐渐向细型、薄型发展，图形蚀刻精度对线宽/间距、铜厚等参数存在重要影响，对该过程的稳定性进行控制是保障产品品质的重要一环。本课题对减成法蚀刻的过程进行了研究，探明多余铜被蚀去是因为发生了氧化还原反应。其中由二价铜离子充当氧化剂，产物亚铜离子与氯离子形成络合物后再被双氧水氧化为铜离子，重新参与反应，这种动态过程导致了蚀刻速率的波动。研究发现，蚀刻过程的速率受到铜离子浓度与氧化还原电位的影响，前者可通过溶液比重表征，而后者受到铜离子、双氧水与盐酸浓度的多重影响，直接关系到蚀刻速率。文章将从反应角度探究蚀刻氧化还原电位大小对蚀刻速率的影响，旨在通过控制氧化还原电位在一定范围以达到稳定的蚀刻效果，有望提高减成法蚀刻产品的品质，实现精细线路的精准蚀刻。
