着眼小型化、大功率，对宽禁带半导体中的GaN功率器件的宽带内匹配技术进行了研究。基于国产的GaN功率器件，采用切比雪夫宽带匹配理论，研制了一款工作频率覆盖2 GHz～6 GHz的宽带功率放大器，在设计过程中重点关注了功率放大器在各种工作条件下的稳定性。测试结果表明在漏源电压为36 V，连续波条件下，在2 GHz～6 GHz的带宽内实现了输出功率全部大于100 W，功率平坦度小于1.0 dB，功率附加效率大于38%，最高点达到了45%。
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