摘要
本发明公开了一种具有高探测率和低暗电流的全聚合物光探测器,属于有机光电器件领域。该探测器的器件结构从下到上依此为衬底、导电阳极、空穴传输层、光活性层、电子传输层和金属阴极,所述的光活性层是由聚合物给体和特定的聚合物受体PNDI-DTBT共混形成的体异质结。在合理筛选聚合物给体和活性层形貌优化的协同作用下,光活性层具有合适的相分离尺度和优势的垂直相分布,在-0.1V的工作电压下,探测器获得了低于10~(-10)A cm~(-2)的暗电流密度和超过10~(14)Jones的比探测率,实现了一种高探测率、低暗电流的全聚合物光探测器。
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