由于优异的综合性能，负性光敏聚酰亚胺已成为微电子领域不可或缺的材料，本文根据负性光敏聚酰亚胺结构和合成工艺的不同，总结了其主要种类和研究进展。随着微电子技术的高度集成化和扇出型晶圆级封装技术的发展，对负性光敏聚酰亚胺材料提出了更高的要求，如更低的介电常数、更低的热膨胀系数和更低的固化温度等。因此，本文进一步介绍了负性光敏聚酰亚胺材料的不同改性方法及其微观作用机制，并对比分析了各类改性方法的优缺点，为高性能负性光敏聚酰亚胺材料的设计开发提供理论基础。
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