SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究

作者：唐常钦; 王多为; 龚敏^*; 马瑶; 杨治美

来源：电子与封装, 2021, 21(08): 80-86.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0811

• SiC MOSFET
• 伽马辐照
• 总剂量效应
• 静态特性
• 室温退火
• 温度特性

研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室温退火后,器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响,辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K,表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。

• 单位
  四川大学; 辐射物理及技术教育部重点实验室