功率MOSFET无铅化封装中铝线引脚跟断裂研究

作者：何伦文; 潘少辉; 汪礼康; 张卫

来源：电子与封装, 2006, (11): 19-22.

DOI：10.3969/j.issn.1681-1070.2006.11.006

• 功率电子
• 铝线
• 无铅化
• 回流焊

用实验和有限元的分析方法研究0．05mm～0．125mm铝线的引脚跟断裂问题。结果显示由于引线键合工艺、注塑工艺以及回流焊中封装体各部分不同的热膨胀系数引起的热应力和塑性变形是产生引脚跟断裂的主要因素。模拟不同的回流焊温度曲线(220℃、240℃、260℃)对铝线的影响,发现在铝线引脚跟处应力和应变最大,而且随着温度的上升,铝线引脚跟处的塑性变形会提高20％,这对铝线的疲劳损伤是很严重的。

• 单位
  专用集成电路与系统国家重点实验室; 复旦大学