碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展

作者:王志宽; 冯治华; 陈容; 燕子鹏; 崔伟; 陆科; 廖希异*
来源:微电子学, 2023, 53(03): 465-471.
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.230223

摘要

相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一。然而,引线键合固有的寄生电感和散热问题严重限制了SiC功率器件的性能。文章首先介绍了硅功率器件的低寄生电感和高效冷却互连技术,然后对SiC功率器件互连技术的研究进行了综述。最后,总结了SiC功率器件互连技术面临的挑战。

  • 单位
    中国电子科技集团公司第二十四研究所

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