利用射频磁控溅射方法,以六角氮化硼(h BN)为靶材,在单晶硅衬底上制备氮化硼(BN)薄膜,系统地研究了沉积时间对BN薄膜相结构的影响。红外光谱分析表明,随着沉积时间的增加,薄膜中h BN相含量减少,正交氮化硼(o BN)相含量增加。