基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法

作者：周小伟; 王燕丽; 吴金星; 李培咸; 许晟瑞; 马晓华; 郝跃

来源：2018-11-27, 中国, ZL201811421097.8.

本发明公开了一种基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及其制备方法,主要解决现有深紫外发光二极管的电流泄露和低发光功率问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型AlxGa1-xN层(2)、3-8周期的AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层(3)、电子阻挡层(4)和p型AlwGa1-wN层(5),其中Al含量x、y、z和w的调整范围分别为0.35-1、0.25-0.9、0.35-1和0-1,电子阻挡层(4)采用h-BN材料,其厚度为10-100nm。本发明降低了电流泄露,增加了空穴浓度,提高了深紫外发光二极管的发光效率,可用于深紫外发光设备中。

• 单位
  西安电子科技大学