基于SiC MOSFET的同步Buck变换器电磁干扰噪声分析及预测

作者：成林; 欧宏; 毕闯^*; 冯思朦; 吴经锋

来源：电工技术学报, 2021, S2: 627-643.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90184

• 碳化硅MOSFET
• 寄生参数
• 频谱
• 频谱边界

碳化硅(SiC)MOSFET相比于传统的硅型MOSFET,具有更高的工作结温和更大的功率密度。但由于其更快的开关速度以及电路中存在的寄生参数,SiC MOSFET的输出波形会产生很大的开关振荡。该文基于开关过程的等效模型,建立分析模型以计算同步Buck变换器开关波形的频谱以及相应的频谱边界。通过将实验结果与数值计算结果进行比较,准确地预测出开关波形频谱的边界,并且发现,SiC MOSFET的寄生参数对高频成分含量及其边界具有明显的影响。

• 单位
  国网陕西省电力公司电力科学研究院; 航天学院; 电子科技大学