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摘要
为实现硅基MOSFET功率器件低导通电阻和高击穿电压的折衷优化，在传统MOSFET漂移区中引入周期性排列的P区和N区，增加垂直分布的PN结结构，设计一种具有1200V耐压的超级结MOSFET。基于对工作原理的分析，使用Silvaco TCAD软件建立结构模型，仿真该器件的电流-电压特性、转移特性以及耐压特性。由仿真结果归纳出所设计超级结MOSFET工作原理，并与传统MOSFET进行对比。实验结果显示该超级结MOSFET在诸多方面均存在优势，为新型硅基功率半导体器件的设计改进提供了新的思路。
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单位沈阳仪表科学研究院有限公司
