800MHzCMOS低噪声放大器的设计

作者：陈继新; 洪伟; 严蘋蘋; 殷晓星; 程峰

来源：微波学报, 2005, S1: 107-111.

• 低噪声放大器
• CMOS
• 噪声系数
• 增益
• 1dB压缩点 Low noise amplifier
• CMOS
• Noise figure
• Gain
• 1dB compressing point

本文采用0. 25μmCMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器。放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感。放大器的增益为16. 4dB、噪声系数小于1. 3dB、工作电压2. 5V时,功耗为35mW。测试结果达到了设计指标,一致性良好。

• 单位
  东南大学; 毫米波国家重点实验室