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摘要
硫硒化钼（MoSSe）是一种新型二维“双面神”半导体材料，具有丰富的物理、化学、力学与电学性质. 本文基于Stillinger-Weber势函数，采用分子动力学模拟方法对不同温度（1-800 K）下的完美和含晶界MoSSe单层结构展开详细的力学行为分析. 本文研究表明：1）完美单层MoSSe结构的力学性能呈现明显的各向异性；2）在单向拉伸作用下，其杨氏模量、强度极限和极限应变均随温度的升高而降低；3）当温度低于100 K时，沿锯齿形手性方向受拉伸作用的单层MoSSe结构发生由六环蜂窝相向四方相的相变. 新四方相的杨氏模量约为原相结构的1.3倍且强度显著提升；温度高于100 K时，沿锯齿形手性方向拉伸呈现脆性断裂；4）含晶界单层MoSSe结构受拉伸作用首先在晶界处产生裂缝，并逐步扩展至整个结构后断裂. 锯齿形偏向晶界结构的强度随倾斜角度增加而降低，扶手椅形偏向晶界结构也呈下降趋势. 本文的研究结果对基于单层MoSSe的电子器件的强度设计和性能优化有重要指导意义.
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