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摘要
本文以ZnCdS和CsPbBr3量子点为例，研究了量子点在透射电镜中的电子辐照损伤行为。研究表明：低倍率(<100 k)下量子点受到的辐照损伤较小，对成像的影响可以忽略；在高倍率(400 k)下，电子束辐照会对量子点造成极大的损伤，导致其形貌和结构都产生明显的改变；光强越大，辐照时间越长，样品的损伤越严重。本文同时介绍了一种偏转光路的拍照技巧，可以有效地减少电子束辐照对量子点的结构破坏，并获得清晰度较高的高分辨图像。
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单位化学化工学院; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 上海交通大学
