基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管

作者：车相辉; 梁士雄^*; 张立森; 顾国栋; 郝文嘉; 杨大宝; 陈宏泰; 冯志红

来源：电子技术应用, 2019, 45(08): 32-39.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.199803

• 共振隧穿二极管
• 峰值电流密度
• 峰谷电流比

为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400 kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所