Fe3O4/羧酸分子界面处氧含量对自旋界面的影响

作者：王申; 魏珉

来源：山西大学学报(自然科学版), 2019, 42(04): 873-877.

DOI：10.13451/j.cnki.shanxi.univ(nat.sci.).2019.03.29.001

• 自旋界面
• Fe3O4
• 有机自旋输运
• 隧穿磁电阻

大量工作表明铁磁金属/有机分子组成的界面具有十分丰富的物理特性,是有机自旋电子学的重要研究内容。然而铁磁金属表面极易氧化,从而极大地影响界面上的自旋输运,镧锶锰氧又因其居里温度较低,很难实现室温工作。文章利用自组装的方法分别在大气环境和氮气环境下制备了Fe3O4/烷基羧酸分子界面,证明了其自旋界面在0.5%的误差范围内没有受到氧化的影响,十分稳定,同时也能够在室温下稳定工作。

• 单位
  电子工程学院