近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

作者：董阳春; 王领航; 介万奇

来源：人工晶体学报, 2008, (03): 627-630+638.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.03.050

• 碲铟汞
• 缺陷
• 腐蚀坑
• 半导体材料 HgInTe
• defect
• etch pits
• semiconductor material

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析。利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究。结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形。在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pitdensity)约在105/cm2数量级。HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成。HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹。该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好。

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室