SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究

作者：刘丽娟; 罗以琳; 黄锐; 林璇英

来源：功能材料, 2007, (06): 876-878.

• 多晶硅薄膜
• 电导率
• 低温
• 晶化率 polycrystalline silicon thin film
• conductivity
• low-temperature
• the volume fractions of crystalline

对用SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明,多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度,在300~90K的温度范围内呈现不同的导电特性。对多晶硅薄膜,其导电特性还与晶化率有关,晶化率越大电导率越大。测量数据表明,低晶化率薄膜电输运主要由电子热发射跃过势垒所贡献,但对于高晶化率的薄膜要同时考虑电子隧穿对电导的影响。

• 单位
  汕头大学; 固体微结构物理国家重点实验室