以溶液法PEDOT∶PSS作为空穴传输层的免光刻背接触硅太阳电池

作者：孙纵横; 沈荣宗; 石艳斌; 周玉荣; 周玉琴; 刘丰珍

来源：人工晶体学报, 2021, 50(08): 1534-1540.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210707.006

• 背接触硅基太阳电池
• 免光刻工艺
• 掩膜技术
• PEDOT∶PSS空穴传输层
• 溶液法

对PEDOT∶PSS(聚（3,4亚乙二氧基噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）)薄膜与Mg、Al和Ag三种金属接触后的I-V特性曲线进行了测试分析,发现Mg和Al与PEDOT∶PSS薄膜接触后呈现高电阻特性,可以起到绝缘隔离层的作用。在此基础上,以PEDOT∶PSS作为空穴传输层,以LiF作为电子传输层,以PEDOT∶PSS与Mg/Al的接触作为隔离层,不采用光刻工艺,设计制备了只需一次掩膜工艺的背接触太阳电池。通过在PEDOT∶PSS上采用热丝氧化升华技术制备MoOx层,通过优化LiF薄膜的厚度,在抛光硅片上初步实现了开路电压最高为592 mV和效率最高为10.13%的背接触太阳电池。采用金属辅助腐蚀制备硅纳米线陷光结构改善前表面陷光效果,得到了开路电压为587 mV,短路电流密度为35.57 mA/cm2,填充因子为69.97%,效率为14.61%的背接触太阳电池。

• 单位
  中国科学院大学