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摘要
本发明属于晶体管技术领域,公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上,通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体,然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶,然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形,通过电子束蒸镀源、漏电极,得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管,并采用电子束光刻技术制备源、漏电极,具有操作可控性强,实验精度高的优点,有源层与源、漏电极之间的接触会很致密,可以有效改善场效应晶体管的性能。
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