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摘要
基于GaN功率放大器小型化、轻薄化的发展趋势，选用陶瓷方形扁平无引脚（CQFN）管壳封装，设计了一种2～6 GHz宽频带、小尺寸、高效率的功率放大器，并阐述了设计方法和研制过程。随着器件功率密度的不断升高，散热问题成为设计中不可忽略的因素，分别采用热仿真分析及红外热成像测试方法，得到功率放大器芯片的最高温度为198.61℃，能满足散热需求。功率放大器尺寸为7.0 mm×7.0 mm×1.2 mm，在连续波测试条件下，漏极电压为28 V，工作频带为2～6 GHz，饱和输出功率大于40.5 d Bm，功率增益大于23 d B，功率附加效率大于35%，测试结果均满足实际需求。
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单位中国电子科技集团公司第十三研究所; 河北新华北集成电路有限公司
