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摘要
利用射频磁控溅射法在7059玻璃上生长不同厚度的AZO薄膜,并在不同厚度的薄膜上再利用射频磁控溅射沉积一层55 nm的本征ZnO薄膜。利用退火CdTe电池的退火条件退火各种厚度的薄膜时,所有AZO/ZnO结构的薄膜电阻率均只有微小的变化,表现出比单层结构的AZO薄膜更强的电学稳定性。在干空气气氛中400～550℃退火时,710 nm AZO/50 nm ZnO结构的薄膜仍然具有更好的稳定性,退火后电阻率仍然保持得更好。结果表明在制备CdTe电池时采用AZO/ZnO结构方式的透明电极比AZO更有利于电池的光电性能。
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单位中国科学院电工研究所; 遵义师范学院; 机电工程学院; 中国科学院大学
