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摘要
采用射频磁控溅射法在表面长有SiO2绝缘层的P-Si片上沉积MoZnO薄膜，并制作成光电晶体管，研究了不同溅射压强对MoZnO薄膜及器件性能的影响.实验结果表明，当溅射压强为10 mTorr时，MoZnO薄膜的晶粒尺寸最大，结晶程度最好，其在可见光区域的平均透过率均在95%以上.随着溅射压强的提高，MoZnO薄膜的光学带隙逐渐变窄.在10 mTorr溅射压强条件下MoZnO TFT的电学性能最佳，其电流开关比达到了3.43×107,亚阈值摆幅为0.983 V/dec,该器件也可应用在对波长为254 nm的光探测上，其响应度、探测度和灵敏度可分别达到21.5 A/w, 2.9×1012Jones和1.9×107.
- 单位
