碲镉汞与钙钛矿量子点薄膜异质结的界面电子态及其荧光特性

作者：王雅荣; 房诗玉; 房永征^*; 孙常鸿; 叶振华; 刘玉峰^*

来源：应用技术学报, 2022, 22(03): 189-197.

• 碲镉汞
• 钙钛矿
• 量子点
• 异质结

半导体异质结是有源光电子器件最重要的材料组成部分之一。构筑了窄带隙半导体碲镉汞(Hg0.7Cd0.3Te)和宽带隙CsPbBr3半导体量子点薄膜的异质结，通过研究发现量子点与碲镉汞薄膜形成了Type-I异质结，CsPbBr3钙钛矿量子点薄膜中的部分电子和空穴在辐射复合前转移至Hg0.7Cd0.3Te的价带与导带上，导致CsPbBr3钙钛矿量子点薄膜的荧光强度下降；此外，钙钛矿电子空穴辐射复合发光的光子能量大于Hg0.7Cd0.3Te的带隙，部分荧光被Hg0.7Cd0.3Te吸收。最终CsPbBr3钙钛矿量子点薄膜异质结的荧光强度下降至单独CsPbBr3量子点薄膜强度的0.2倍，表明Type-I异质结中Hg0.7Cd0.3Te薄膜因界面的载流子传输导致其对CsPbBr3量子点薄膜荧光具有重要的调制作用。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 上海应用技术大学