WO_3(001)表面活性氧物种的理论研究

作者：金华

来源：原子与分子物理学报, 2019, 36(06): 921-926.

• WO_3表面
• 氧物种
• 吸附
• 表面态
• 缺陷

采用第一性原理结合周期性平板模型的方法,对O2在完整和缺陷WO3(001)表面的吸附行为进行了研究.结果表明:WO3(001)完整表面上吸附态的O2不易成为表面氧化反应的活性氧物种,当吸附质与表面作用时,将优先与表面晶格氧(Ot)成键,进而形成表面缺陷态,体系呈现金属性,电导率增大.比较O2在缺陷表面上各吸附构型的吸附能发现,O2的吸附倾向于发生在缺陷位置(Wv)上,且表现为氧气分子中的两个氧原子均与缺陷位Wv作用,形成新的活性氧物种(O2-);吸附后表面被氧化,电导率降低.

• 单位
  宜春学院; 生物工程学院