部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究

作者：王成成^*; 周龙达; 蒲石; 王芳; 杨红; 曾传滨; 韩郑生; 罗家俊; 卜建辉

来源：航空科学技术, 2020, 31(01): 76-80.

DOI：10.19452/j.issn1007-5453.2020.01.010

• 负偏压温度不稳定性
• PDSOI
• 快速测试方法
• 阈值电压
• 寿命预测
• 可靠性

NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究。通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDSOI器件阈值电压漂移的影响,其主要影响因素有应力时间、温度和栅偏压。试验中通过Vg模型对PDSOI器件进行了NBTI效应寿命预测,实现了对自有1.2μm工艺PDSOI器件的高温可靠性评价。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所